Yn 1976, Zumsteg en oaren. brûkte in hydrotermyske metoade om in rubidium titanylfosfaat (RbTiOPO₄, oantsjutten as RTP) kristal. It RTP-kristal is in orthorhombysk systeem, mm2 punten groep, P_na21 romte groep, hat wiidweidige foardielen fan grutte elektro-optyske koëffisjint, hege ljocht skea drompel, lege conductivity, breed oerdracht berik, net-deliquescent, lege ynstekken ferlies, en kin brûkt wurde foar hege werhelling frekwinsje wurk (oant 100 kHz), ensfh. En d'r sille gjin grize merken wêze ûnder sterke laserbestraling. Yn 'e ôfrûne jierren is it in populêr materiaal wurden foar it tarieden fan elektro-optyske Q-switches, benammen geskikt foar lasersystemen mei hege werhellingsrate.

De grûnstoffen fan RTP ûntbine as se smelten, en kinne net groeid wurde troch konvinsjonele metoaden foar smelten. Meastal wurde fluxen brûkt om it smeltpunt te ferleegjen. Troch de tafoeging fan in grutte hoemannichte flux yn de grûnstoffen, it’s heul lestich om RTP te groeien mei grutte en hege kwaliteit. Yn 1990 brûkten Wang Jiyang en oaren de self-service flux metoade om in kleurleaze, folsleine en unifoarme RTP-ienkristal fan 15 te krijen mm×44 mm×34 mm, en fierde in systematyske stúdzje oer syn prestaasjes. Yn 1992 Oseledchiken oaren. brûkte in ferlykbere self-service flux metoade om RTP-kristallen te groeien mei grutte fan 30 mm×40 mm×60 mm en hege laser skea drompel. In 2002 Kannan en oaren. brûkt in lyts bedrach fan MoO₃ (0.002 mol%) as de flux yn 'e top-seedmetoade om heechweardige RTP-kristallen te groeien mei in grutte fan sawat 20 mm. Yn 2010 brûkten Roth en Tseitlin respektivelik [100] en [010] rjochtingssieden om grutte grutte RTP te groeien mei top-seedmetoade.

Yn ferliking mei KTP-kristallen wêrfan de tariedingsmetoaden en elektro-optyske eigenskippen ferlykber binne, is de resistiviteit fan RTP-kristallen 2 oant 3 oarders fan grutte heger (10)⁸ Ω·cm), sadat RTP-kristallen kinne wurde brûkt as EO Q-skeakelapplikaasjes sûnder problemen mei elektrolytyske skea. Yn 2008 Shaldinen oaren. brûkte de top-seed-metoade om in RTP-kristal mei ien domein te groeien mei resistiviteit fan sawat 0.5×10¹² Ω·cm, dat is tige foardielich foar EO Q-switches mei grutter dúdlik diafragma. Yn 2015 Zhou Haitaoen oaren. rapportearre dat RTP-kristallen mei a-as lingte grutter dan 20 mm waarden groeid troch hydrotermyske metoade, en de resistiviteit wie 10¹¹~10¹² Ω·cm. Sûnt de RTP kristal is in biaxial kristal, it is oars as LN kristal en DKDP kristal as brûkt as in EO Q- switch. Ien RTP yn it pear moat 90 rotearre wurde°yn 'e rjochting fan ljocht om te kompensearjen foar de natuerlike dûbele breking. Dit ûntwerp fereasket net allinich hege optyske uniformiteit fan it kristal sels, mar fereasket ek dat de lingte fan 'e twa kristallen sa ticht mooglik is, om hegere útstjerringsferhâlding fan' e Q-switch te krijen.

As in poerbêste EO Q-switching materiaal mei hege-repetysje frekwinsje, RTP crystals ûnder foarbehâld fan de beheining fan grutte dat is net mooglik foar grutte dúdlik diafragma (de maksimale diafragma fan kommersjele produkten is mar 6 mm). Dêrom, de tarieding fan RTP kristallen mei grutte maat en hege kwaliteit likegoed as de bypassend technyk fan RTP-pearen noch nedich grut bedrach fan ûndersyk wurk.